西 佑介

最終更新日時: 2015/06/19 16:31:30

印刷する

氏名(漢字/フリガナ/アルファベット表記)
西 佑介/ニシ ユウスケ/Nishi, Yusuke
所属部署・職名(部局/所属/講座等/職名)
工学研究科/電子工学専攻電子物性工学講座/助教
学部兼担
部局 所属 講座等 職名
工学部
電子メールアドレス
メールアドレス
nishi @ kuee.kyoto-u.ac.jp
所属学会(国内)
学会名(日本語) 学会名(英語)
応用物理学会 The Japan Society of Applied Physics
取得学位
学位名(日本語) 学位名(英語) 大学(日本語) 大学(英語) 取得区分
修士(工学) 京都大学
博士(工学) 京都大学
出身大学院・研究科等
大学名(日本語) 大学名(英語) 研究科名(日本語) 研究科名(英語) 専攻名(日本語) 専攻名(英語) 修了区分
京都大学 大学院工学研究科修士課程電子物性工学専攻 修了
出身学校・専攻等
大学名(日本語) 大学名(英語) 学部名(日本語) 学部名(英語) 学科名(日本語) 学科名(英語) 卒業区分
京都大学 工学部電気電子工学科 卒業
職歴
期間 組織名(日本語) 組織名(英語) 職名(日本語) 職名(英語)
2003/04/01〜2008/03/31 シャープ株式会社 Sharp Corporation
researchmap URL
https://researchmap.jp/7000008711
論文
著者 著者(日本語) 著者(英語) タイトル タイトル(日本語) タイトル(英語) 書誌情報等 書誌情報等(日本語) 書誌情報等(英語) 出版年月 査読の有無 記述言語 掲載種別 公開
T. Iwata; Y. Nishi; T. Kimoto T. Iwata; Y. Nishi; T. Kimoto T. Iwata; Y. Nishi; T. Kimoto Microscopic investigation of the electrical and structural properties of conductive filaments formed in Pt/NiO/Pt resistive switching cells Microscopic investigation of the electrical and structural properties of conductive filaments formed in Pt/NiO/Pt resistive switching cells Microscopic investigation of the electrical and structural properties of conductive filaments formed in Pt/NiO/Pt resistive switching cells Japanese Journal of Applied Physics, 52, 4 Japanese Journal of Applied Physics, 52, 4 Japanese Journal of Applied Physics, 52, 4 2013/04 英語 公開
沖元直樹;岩田達哉;西佑介;木本恒暢;木本恒暢 沖元直樹;岩田達哉;西佑介;木本恒暢;木本恒暢 金属/TiO<sub>2</sub>/金属積層構造の抵抗スイッチング特性に対する電極材料の影響 金属/TiO<sub>2</sub>/金属積層構造の抵抗スイッチング特性に対する電極材料の影響 電子情報通信学会技術研究報告, 112, 337(SDM2012 115-137), 129-132 電子情報通信学会技術研究報告, 112, 337(SDM2012 115-137), 129-132 , 112, 337(SDM2012 115-137), 129-132 2012/11/30 日本語 公開
西 佑介; 坂田 匡通; 木下 順史 西 佑介; 坂田 匡通; 木下 順史 VXLAN通信経路の高速切り替えを実現するマルチキャストツリー集中管理方式 (情報ネットワーク) VXLAN通信経路の高速切り替えを実現するマルチキャストツリー集中管理方式 (情報ネットワーク) 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報, 112, 134, 1-6 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報, 112, 134, 1-6 , 112, 134, 1-6 2012/07/19 日本語 公開
岩田達哉;西佑介;木本恒暢;木本恒暢 岩田達哉;西佑介;木本恒暢;木本恒暢 抵抗変化型メモリ用Pt/NiO/Pt素子におけるフィラメント形成領域の特定とその評価 抵抗変化型メモリ用Pt/NiO/Pt素子におけるフィラメント形成領域の特定とその評価 電子情報通信学会技術研究報告, 111, 357(SDM2011 132-148), 87-92 電子情報通信学会技術研究報告, 111, 357(SDM2011 132-148), 87-92 , 111, 357(SDM2011 132-148), 87-92 2011/12/09 日本語 公開
T. Iwata; Y. Nishi; T. Kimoto T. Iwata; Y. Nishi; T. Kimoto T. Iwata; Y. Nishi; T. Kimoto Effects of heat treatment on the resistive switching characteristics of Pt/NiO/Pt stack structures Effects of heat treatment on the resistive switching characteristics of Pt/NiO/Pt stack structures Effects of heat treatment on the resistive switching characteristics of Pt/NiO/Pt stack structures Japanese Journal of Applied Physics, 50, 8 Japanese Journal of Applied Physics, 50, 8 Japanese Journal of Applied Physics, 50, 8 2011/08 英語 公開
Y. Nishi; T. Iwata; T. Kimoto Y. Nishi; T. Iwata; T. Kimoto Y. Nishi; T. Iwata; T. Kimoto Correlation between oxygen composition and electrical properties in NiO thin films for resistive random access memory Correlation between oxygen composition and electrical properties in NiO thin films for resistive random access memory Correlation between oxygen composition and electrical properties in NiO thin films for resistive random access memory Japanese Journal of Applied Physics, 50, 1 Japanese Journal of Applied Physics, 50, 1 Japanese Journal of Applied Physics, 50, 1 2011/01 英語 公開
J. Suda; K. Miura; M. Honaga; Y. Nishi; N. Onojima; H. Matsunami J. Suda; K. Miura; M. Honaga; Y. Nishi; N. Onojima; H. Matsunami J. Suda; K. Miura; M. Honaga; Y. Nishi; N. Onojima; H. Matsunami Effects of 6H-SiC surface reconstruction on lattice relaxation of AlN buffer layers in molecular-beam epitaxial growth of GaN Effects of 6H-SiC surface reconstruction on lattice relaxation of AlN buffer layers in molecular-beam epitaxial growth of GaN Effects of 6H-SiC surface reconstruction on lattice relaxation of AlN buffer layers in molecular-beam epitaxial growth of GaN Applied Physics Letters, 81, 27, 5141-5143 Applied Physics Letters, 81, 27, 5141-5143 Applied Physics Letters, 81, 27, 5141-5143 2002 英語 公開
タイトル言語:
Misc
著者 著者(日本語) 著者(英語) タイトル タイトル(日本語) タイトル(英語) 書誌情報等 書誌情報等(日本語) 書誌情報等(英語) 出版年月 査読の有無 記述言語 掲載種別 公開
T. Iwata; Y. Nishi; T. Kimoto T. Iwata; Y. Nishi; T. Kimoto T. Iwata; Y. Nishi; T. Kimoto Identification of the location of conductive filaments formed in Pt/NiO/Pt resistive switching cells and investigation on their properties Identification of the location of conductive filaments formed in Pt/NiO/Pt resistive switching cells and investigation on their properties Identification of the location of conductive filaments formed in Pt/NiO/Pt resistive switching cells and investigation on their properties Materials Research Society Symposium Proceedings, 1430, 159-164 Materials Research Society Symposium Proceedings, 1430, 159-164 Materials Research Society Symposium Proceedings, 1430, 159-164 2012 英語 公開
Y. Nishi; T. Iwata; D. Horie; T. Kimoto Y. Nishi; T. Iwata; D. Horie; T. Kimoto Y. Nishi; T. Iwata; D. Horie; T. Kimoto Time-dependent forming characteristics in Pt/NiO/Pt stack structures for resistive random access memory Time-dependent forming characteristics in Pt/NiO/Pt stack structures for resistive random access memory Time-dependent forming characteristics in Pt/NiO/Pt stack structures for resistive random access memory Materials Research Society Symposium Proceedings, 1430, 141-146 Materials Research Society Symposium Proceedings, 1430, 141-146 Materials Research Society Symposium Proceedings, 1430, 141-146 2012 英語 公開
岩田達哉;西佑介;木本恒暢;木本恒暢 岩田達哉;西佑介;木本恒暢;木本恒暢 真空中での熱処理によるPt/NiO/Pt抵抗変化素子の電気的特性変化 真空中での熱処理によるPt/NiO/Pt抵抗変化素子の電気的特性変化 電子情報通信学会技術研究報告, 110, 351(SDM2010 185-203), 45-49 電子情報通信学会技術研究報告, 110, 351(SDM2010 185-203), 45-49 , 110, 351(SDM2010 185-203), 45-49 2010/12/10 日本語 公開
西佑介;岩田達哉;木本恒暢;木本恒暢 西佑介;岩田達哉;木本恒暢;木本恒暢 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜中の欠陥準位の検出 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜中の欠陥準位の検出 電子情報通信学会技術研究報告, 109, 321(SDM2009 151-170), 97-100 電子情報通信学会技術研究報告, 109, 321(SDM2009 151-170), 97-100 , 109, 321(SDM2009 151-170), 97-100 2009/11/27 日本語 公開
岩田達哉;西佑介;木本恒暢;木本恒暢 岩田達哉;西佑介;木本恒暢;木本恒暢 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気的特性の組成依存性 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気的特性の組成依存性 電子情報通信学会技術研究報告, 109, 321(SDM2009 151-170), 89-92 電子情報通信学会技術研究報告, 109, 321(SDM2009 151-170), 89-92 , 109, 321(SDM2009 151-170), 89-92 2009/11/27 日本語 公開
J. Suda; K. Miura; M. Honaga; N. Onojima; Y. Nishi; H. Matsunami J. Suda; K. Miura; M. Honaga; N. Onojima; Y. Nishi; H. Matsunami J. Suda; K. Miura; M. Honaga; N. Onojima; Y. Nishi; H. Matsunami Lattice relaxation of AlN buffer on surface-treated SiC in molecular-beam epitaxy for growth of high-quality GaN Lattice relaxation of AlN buffer on surface-treated SiC in molecular-beam epitaxy for growth of high-quality GaN Lattice relaxation of AlN buffer on surface-treated SiC in molecular-beam epitaxy for growth of high-quality GaN Materials Research Society Symposium - Proceedings, 743, 311-316 Materials Research Society Symposium - Proceedings, 743, 311-316 Materials Research Society Symposium - Proceedings, 743, 311-316 2002 英語 公開
タイトル言語:
講演・口頭発表等
タイトル タイトル(日本語) タイトル(英語) 会議名 会議名(日本語) 会議名(英語) 主催者 主催者(日本語) 主催者(英語) 開催年月日 記述言語 会議種別 公開
ReRAM用NiO薄膜における酸素組成と電気的特性との相関 ReRAM用NiO薄膜における酸素組成と電気的特性との相関 機能性酸化物が活躍する次世代ナノエレクトロニクス技術研究開発の最前線 機能性酸化物が活躍する次世代ナノエレクトロニクス技術研究開発の最前線 応用物理学会 応用物理学会 2010/09 日本語 口頭発表(招待・特別) 公開
タイトル言語:
書籍等出版物
著者 著者(日本語) 著者(英語) タイトル タイトル(日本語) タイトル(英語) 出版社 出版社(日本語) 出版社(英語) 出版年月 記述言語 担当区分 公開
西佑介; 岩田達哉; 木本恒暢 西佑介; 岩田達哉; 木本恒暢 ニッケル酸化物の抵抗変化を用いた不揮発性メモリの基礎研究 ニッケル酸化物の抵抗変化を用いた不揮発性メモリの基礎研究 電気材料技術雑誌、第19巻第1号 p5 電気材料技術雑誌、第19巻第1号 p5 2010/12 日本語 公開
タイトル言語:
特許
発明者 発明者(日本語) 発明者(英語) 発明の名称 発明の名称(日本語) 発明の名称(英語) 審査の段階 番号 年月 公開
西 佑介 西 佑介 レベル設定回路 レベル設定回路 特許公開 特開特開2007-19702 2007 公開
西 佑介; 平松 卓磨 西 佑介; 平松 卓磨 受光装置およびこれを用いた光送受信モジュール 受光装置およびこれを用いた光送受信モジュール 特許公開 特開特開2006-228877 2006 公開
タイトル言語:
学術賞等
賞の名称(日本語) 賞の名称(英語) 授与組織名(日本語) 授与組織名(英語) 年月
優秀論文賞 電気材料技術懇談会 2010/01/
外部資金:競争的資金・科学研究費補助金
種別 代表/分担 テーマ(日本語) テーマ(英語) 期間
若手研究(スタートアップ) 代表 酸化ニッケル薄膜の抵抗スイッチング効果に対するフォーミング過程の役割 2008〜2009
若手研究(B) 代表 抵抗変化型不揮発性メモリの基礎物性と抵抗スイッチング特性との相関 2011〜2013
若手研究(B) 代表 抵抗変化型不揮発性メモリの基礎物性と抵抗スイッチング特性との相関 2011〜2013
外部資金:競争的資金・科学研究費補助金以外
制度名 代表者名 研究課題(日本語) 研究課題(英語) 期間
住友財団 基礎科学研究助成 西 佑介 遷移金属酸化物を用いた金属・酸化物薄膜積層構造の抵抗スイッチング機構の解析 2011/11/〜2012/10/