金子 光顕

最終更新日時: 2020/07/27 12:14:17

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氏名(漢字/フリガナ/アルファベット表記)
金子 光顕/カネコ ミツアキ/Kaneko, Mitsuaki
所属部署・職名(部局/所属/講座等/職名)
工学研究科/電子工学専攻電子物性工学講座/助教
取得学位
学位名(日本語) 学位名(英語) 大学(日本語) 大学(英語) 取得区分
修士(工学) 京都大学
博士(工学) 京都大学
出身大学院・研究科等
大学名(日本語) 大学名(英語) 研究科名(日本語) 研究科名(英語) 専攻名(日本語) 専攻名(英語) 修了区分
京都大学 大学院工学研究科修士課程電子工学専攻 修了
京都大学 大学院工学研究科博士後期課程電子工学専攻 修了
出身学校・専攻等
大学名(日本語) 大学名(英語) 学部名(日本語) 学部名(英語) 学科名(日本語) 学科名(英語) 卒業区分
京都大学 工学部電気電子工学科 卒業
ORCID ID
https://orcid.org/0000-0001-5629-0105
researchmap URL
https://researchmap.jp/Miki-k
研究テーマ
(日本語)
厳環境動作集積回路実現に向けたSiCデバイスの開発
(英語)
Development of SiC electronic devices operating under harsh environment
研究概要
(日本語)
ワイドギャップ半導体SiCを用いた高温・高放射線環境・高圧といった厳環境で動作する集積回路開発に向けた基礎検討
(英語)
SiC, a wide bandgap semiconductor, has attracted much attention for the material composing ICs operating under harsh environment (high temperature, radiation, high pressure.) Investigation and development of SiC devices working under such environment.
研究分野(キーワード)
キーワード(日本語) キーワード(英語)
半導体 semiconductor
論文
著者 著者(日本語) 著者(英語) タイトル タイトル(日本語) タイトル(英語) 書誌情報等 書誌情報等(日本語) 書誌情報等(英語) 出版年月 査読の有無 記述言語 掲載種別 公開
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Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda Strong impact of the initial III/V ratio on the crystalline quality of an AlN layer grown by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy Strong impact of the initial III/V ratio on the crystalline quality of an AlN layer grown by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy Strong impact of the initial III/V ratio on the crystalline quality of an AlN layer grown by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy APPLIED PHYSICS EXPRESS, 9, 2 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 9, 2 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 9, 2 2016/02 英語 研究論文(学術雑誌) 公開
Mitsuaki Kaneko, Ryosuke Kikuchi, Hironori Okumura, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda Mitsuaki Kaneko, Ryosuke Kikuchi, Hironori Okumura, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda Mitsuaki Kaneko, Ryosuke Kikuchi, Hironori Okumura, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda Coherent Growth of AlN/GaN Short-Period Superlattice with Average GaN Mole Fraction of up to 20% on 6H-SiC(0001) Substrates by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy Coherent Growth of AlN/GaN Short-Period Superlattice with Average GaN Mole Fraction of up to 20% on 6H-SiC(0001) Substrates by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy Coherent Growth of AlN/GaN Short-Period Superlattice with Average GaN Mole Fraction of up to 20% on 6H-SiC(0001) Substrates by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 52, 8 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 52, 8 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 52, 8 2013/08 英語 研究論文(学術雑誌) 公開
Mitsuaki Kaneko, Hironori Okumura, Ryota Ishii, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda Mitsuaki Kaneko, Hironori Okumura, Ryota Ishii, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda Mitsuaki Kaneko, Hironori Okumura, Ryota Ishii, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda Optical Properties of Highly Strained AlN Coherently Grown on 6H-SiC(0001) Optical Properties of Highly Strained AlN Coherently Grown on 6H-SiC(0001) Optical Properties of Highly Strained AlN Coherently Grown on 6H-SiC(0001) APPLIED PHYSICS EXPRESS, 6, 6 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 6, 6 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 6, 6 2013/06 英語 研究論文(学術雑誌) 公開
Ryosuke Kikuchi, Hironori Okumura, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda Ryosuke Kikuchi, Hironori Okumura, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda Ryosuke Kikuchi, Hironori Okumura, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda AlN/GaN Short-Period Superlattice Coherently Grown on 6H-SiC(0001) Substrates by Molecular Beam Epitaxy AlN/GaN Short-Period Superlattice Coherently Grown on 6H-SiC(0001) Substrates by Molecular Beam Epitaxy AlN/GaN Short-Period Superlattice Coherently Grown on 6H-SiC(0001) Substrates by Molecular Beam Epitaxy APPLIED PHYSICS EXPRESS, 5, 5 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 5, 5 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 5, 5 2012/05 英語 研究論文(学術雑誌) 公開

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タイトル言語:
Misc
著者 著者(日本語) 著者(英語) タイトル タイトル(日本語) タイトル(英語) 書誌情報等 書誌情報等(日本語) 書誌情報等(英語) 出版年月 査読の有無 記述言語 掲載種別 公開
鐘ヶ江 一孝, 金子 光顕, 木本 恒暢, 堀田 昌宏, 須田 淳 鐘ヶ江 一孝, 金子 光顕, 木本 恒暢, 堀田 昌宏, 須田 淳 鐘ヶ江 一孝, 金子 光顕, 木本 恒暢, 堀田 昌宏, 須田 淳 ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価 (電子デバイス) ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価 (電子デバイス) Characterization of Free-Standing GaN Bulk Substrates by Raman Scattering Spectroscopy and Infrared Reflectance Spectroscopy 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 116, 356, 21-26 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 116, 356, 21-26 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 116, 356, 21-26 2016/12/12 日本語 公開
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鐘ヶ江 一孝, 金子 光顕, 木本 恒暢, 堀田 昌宏, 須田 淳 鐘ヶ江 一孝, 金子 光顕, 木本 恒暢, 堀田 昌宏, 須田 淳 鐘ヶ江 一孝, 金子 光顕, 木本 恒暢, 堀田 昌宏, 須田 淳 ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価 (レーザ・量子エレクトロニクス) ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価 (レーザ・量子エレクトロニクス) Characterization of Free-Standing GaN Bulk Substrates by Raman Scattering Spectroscopy and Infrared Reflectance Spectroscopy 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 116, 358, 21-26 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 116, 358, 21-26 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 116, 358, 21-26 2016/12/12 日本語 公開
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タイトル言語:
講演・口頭発表等
タイトル タイトル(日本語) タイトル(英語) 会議名 会議名(日本語) 会議名(英語) 主催者 主催者(日本語) 主催者(英語) 開催年月日 記述言語 会議種別 公開
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Breakdown Phenomena in High- and Low-Voltage SiC Devices[招待あり] Breakdown Phenomena in High- and Low-Voltage SiC Devices [招待あり] Breakdown Phenomena in High- and Low-Voltage SiC Devices [招待あり] Materials Research Meeting 2019 Materials Research Meeting 2019 Materials Research Meeting 2019 2019/12/11 英語 口頭発表(招待・特別) 公開
高温動作集積回路を目指したノーマリオフ型p-JFETおよびn-JFETの同一SiC基板上への作製[招待あり] 高温動作集積回路を目指したノーマリオフ型p-JFETおよびn-JFETの同一SiC基板上への作製 [招待あり] 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第6回講演会 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第6回講演会 2019/12/04 日本語 口頭発表(招待・特別) 公開
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400℃ operation of normally-off n- and p-JFETs with a side-gate structure fabricated by ion implantation into a high-purity semi-insulating SiC substrate[招待あり] 400℃ operation of normally-off n- and p-JFETs with a side-gate structure fabricated by ion implantation into a high-purity semi-insulating SiC substrate [招待あり] 400℃ operation of normally-off n- and p-JFETs with a side-gate structure fabricated by ion implantation into a high-purity semi-insulating SiC substrate [招待あり] European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018) European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018) European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018) 2018/09/10 英語 口頭発表(招待・特別) 公開
Intentional introduction of misfit dislocations at AlN/SiC heterointerface[招待あり] Intentional introduction of misfit dislocations at AlN/SiC heterointerface [招待あり] Intentional introduction of misfit dislocations at AlN/SiC heterointerface [招待あり] 6th Center for Integrated Research of Future Electronics Seminar: Seminar on Interface Control 6th Center for Integrated Research of Future Electronics Seminar: Seminar on Interface Control 6th Center for Integrated Research of Future Electronics Seminar: Seminar on Interface Control 2017/08/10 英語 口頭発表(招待・特別) 公開
タイトル言語:
産業財産権 (特許)
発明者 発明者(日本語) 発明者(英語) 発明の名称 発明の名称(日本語) 発明の名称(英語) 審査の段階 番号 年月 公開
木本 恒暢, 金子 光顕, 中島 誠志 木本 恒暢, 金子 光顕, 中島 誠志 SiC接合型電界効果トランジスタ及びSiC相補型接合型電界効果トランジスタ SiC接合型電界効果トランジスタ及びSiC相補型接合型電界効果トランジスタ 特許公開 特開2019-091873 2019/06/13 公開
タイトル言語:
学術賞等
賞の名称(日本語) 賞の名称(英語) 授与組織名(日本語) 授与組織名(英語) 年月
発表奨励賞 Encouragement Award 第4回窒化物半導体結晶成長講演会 2012/04/28
最優秀論文賞 Best Paper Award 窒化物半導体国際ワークショップ2012 2012/10/19
EMS賞 34th Electronic Materials Symposium Award 第34回電子材料シンポジウム 2015/07/17
第38回応用物理学会講演奨励賞 Young Scientist Presentation Award 応用物理学会 2015/09/13
船井研究奨励賞 Funai Research Promotion Award 船井情報科学振興財団 FFIT 2020/04/40
外部資金:競争的資金 (科学研究費補助金)
種別 代表/分担 テーマ(日本語) テーマ(英語) 期間
研究活動スタート支援 代表 厳環境動作SiCハイブリッド集積回路の開発 2019/08/30〜2021/03/31
研究活動スタート支援 代表 厳環境動作SiCハイブリッド集積回路の開発 (2019年度分) 2019/04/01〜2020/03/31
外部資金:競争的資金 (科学研究費補助金以外)
制度名 代表者名 研究課題(日本語) 研究課題(英語) 期間
増屋記念基礎研究振興財団 金子光顕 イオン注入による厳環境動作SiC集積回路の開発 2019/04/01〜2020/03/31
稲盛財団 金子光顕 超高温環境動作SiC集積回路の開発 2020/04/01〜2023/03/31
村田学術振興財団 金子光顕 超高温環境動作可能な相補型JFET集積回路の開発 2020/07/01〜2021/06/30
その他の研究活動等
名称 場所 備考 期間
ストックホルム国際青年科学セミナー ストックホルム 2014/12/04〜2014/12/11
第65回リンダウ・ノーベル賞受賞者会議 リンダウ 2015/06/28〜2015/07/04
担当科目
講義名(日本語) 講義名(英語) 開講期 学部/研究科 年度
電気電子工学実習 Advanced Practice of Electrical and Electronic Engineering 後期 工学部 2019/04〜2020/03
電気電子工学基礎実験 Fundamental Practice of Electrical & Electronic Engineering 後期 工学部 2020/04〜2021/03
電気電子工学実習 Advanced Practice of Electrical and Electronic Engineering 後期 工学部 2020/04〜2021/03
部局運営(役職等)
役職名 期間
電気電子工学科 サマーキャンプ運営委員会 2019/04/01〜
桂事業場環境安全衛生委員会 委員 2020/04/01〜2022/03/31
電気電子工学科 学生実験9人委員 2020/04/01〜
工学部無期廃液処理実行委員会(電気系担当) 2020/05/01〜