金子光顕

最終更新日時: 2021/02/24 14:26:56

氏名(漢字／フリガナ／アルファベット表記)

金子光顕／カネコミツアキ／Kaneko, Mitsuaki

所属部署・職名(部局／所属／講座等／職名)

工学研究科／電子工学専攻電子物性工学講座／助教

取得学位

学位名(日本語)	学位名(英語)	大学(日本語)	大学(英語)	取得区分
修士(工学)		京都大学
博士(工学)		京都大学

出身大学院・研究科等

大学名(日本語)	大学名(英語)	研究科名(日本語)	研究科名(英語)	専攻名(日本語)	専攻名(英語)	修了区分
京都大学		大学院工学研究科修士課程電子工学専攻				修了
京都大学		大学院工学研究科博士後期課程電子工学専攻				修了

出身学校・専攻等

大学名(日本語)	大学名(英語)	学部名(日本語)	学部名(英語)	学科名(日本語)	学科名(英語)	卒業区分
京都大学		工学部電気電子工学科				卒業

ORCID ID

https://orcid.org/0000-0001-5629-0105

researchmap URL

https://researchmap.jp/Miki-k

研究テーマ

(日本語)
厳環境動作集積回路実現に向けたSiCデバイスの開発
(英語)
Development of SiC electronic devices operating under harsh environment

研究概要

(日本語)
ワイドギャップ半導体SiCを用いた高温・高放射線環境・高圧といった厳環境で動作する集積回路開発に向けた基礎検討
(英語)
SiC, a wide bandgap semiconductor, has attracted much attention for the material composing ICs operating under harsh environment (high temperature, radiation, high pressure.) Investigation and development of SiC devices working under such environment.

研究分野（キーワード）

キーワード(日本語)	キーワード(英語)
半導体	semiconductor

論文

著者	著者(日本語)	著者(英語)	タイトル	タイトル(日本語)	タイトル(英語)	書誌情報等	書誌情報等(日本語)	書誌情報等(英語)	出版年月	査読の有無	記述言語	掲載種別	公開
Masahiro Hara, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto	Masahiro Hara, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto	Masahiro Hara, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto	Nearly Fermi-level-pinning-free interface in metal/heavily-doped SiC Schottky structures	Nearly Fermi-level-pinning-free interface in metal/heavily-doped SiC Schottky structures	Nearly Fermi-level-pinning-free interface in metal/heavily-doped SiC Schottky structures	Japanese Journal of Applied Physics, 60, SB, SBBD14-SBBD14	Japanese Journal of Applied Physics, 60, SB, SBBD14-SBBD14	Japanese Journal of Applied Physics, 60, SB, SBBD14-SBBD14	2021/02/18	有		研究論文(学術雑誌)	公開
Keita Tachiki, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto	Keita Tachiki, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto	Keita Tachiki, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto	Mobility improvement of 4H-SiC (0001) MOSFETs by a three-step process of H2 etching, SiO2 deposition, and interface nitridation	Mobility improvement of 4H-SiC (0001) MOSFETs by a three-step process of H2 etching, SiO2 deposition, and interface nitridation	Mobility improvement of 4H-SiC (0001) MOSFETs by a three-step process of H2 etching, SiO2 deposition, and interface nitridation	Applied Physics Express, 14, 3, 031001-031001	Applied Physics Express, 14, 3, 031001-031001	Applied Physics Express, 14, 3, 031001-031001	2021/01/29	有		研究論文(学術雑誌)	公開
Keita Tachiki, Mitsuaki Kaneko, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto	Keita Tachiki, Mitsuaki Kaneko, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto	Keita Tachiki, Mitsuaki Kaneko, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto	Formation of high-quality SiC(0001)/SiO2 structures by excluding oxidation process with H2 etching before SiO2 deposition and high-temperature N2 annealing	Formation of high-quality SiC(0001)/SiO2 structures by excluding oxidation process with H2 etching before SiO2 deposition and high-temperature N2 annealing	Formation of high-quality SiC(0001)/SiO2 structures by excluding oxidation process with H2 etching before SiO2 deposition and high-temperature N2 annealing	Applied Physics Express, 13, 12, 121002-121002	Applied Physics Express, 13, 12, 121002-121002	Applied Physics Express, 13, 12, 121002-121002	2020/12/01	有		研究論文(学術雑誌)	公開
M. Kaneko, M. Nakajima, Q. Jin, T. Kimoto		M. Kaneko, M. Nakajima, Q. Jin, T. Kimoto	Experimental Study on Short-Channel Effects in Double-Gate Silicon Carbide JFETs	Experimental Study on Short-Channel Effects in Double-Gate Silicon Carbide JFETs	Experimental Study on Short-Channel Effects in Double-Gate Silicon Carbide JFETs	IEEE Transactions on Electron Devices, 67, 10, 4538-4540	, 67, 10, 4538-4540	IEEE Transactions on Electron Devices, 67, 10, 4538-4540	2020/10	有		研究論文(学術雑誌)	公開
Dionysios Stefanakis, Xilun Chi, Takuya Maeda, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto	Dionysios Stefanakis, Xilun Chi, Takuya Maeda, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto	Dionysios Stefanakis, Xilun Chi, Takuya Maeda, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto	Experimental Determination of Impact Ionization Coefficients Along 〈1120〉 in 4H-SiC	Experimental Determination of Impact Ionization Coefficients Along 〈1120〉 in 4H-SiC	Experimental Determination of Impact Ionization Coefficients Along 〈1120〉 in 4H-SiC	IEEE Transactions on Electron Devices, 67, 9, 3740-3744	IEEE Transactions on Electron Devices, 67, 9, 3740-3744	IEEE Transactions on Electron Devices, 67, 9, 3740-3744	2020/09	有		研究論文(学術雑誌)	公開
M. Kaneko, X. Chi, T. Kimoto	M. Kaneko, X. Chi, T. Kimoto	M. Kaneko, X. Chi, T. Kimoto	Tunneling Current in 4H-SiC p-n Junction Diodes	Tunneling Current in 4H-SiC p-n Junction Diodes	Tunneling Current in 4H-SiC p-n Junction Diodes	IEEE Transactions on Electron Devices, 67, 8, 3329-3334	IEEE Transactions on Electron Devices, 67, 8, 3329-3334	IEEE Transactions on Electron Devices, 67, 8, 3329-3334	2020/08	有		研究論文(学術雑誌)	公開
Mitsuaki Kaneko, Kazuto Hirai, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda	Mitsuaki Kaneko, Kazuto Hirai, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda	Mitsuaki Kaneko, Kazuto Hirai, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda	Multi-cycle RHEED oscillation under nitrogen supply in alternative source supply AlN growth by rf-MBE	Multi-cycle RHEED oscillation under nitrogen supply in alternative source supply AlN growth by rf-MBE	Multi-cycle RHEED oscillation under nitrogen supply in alternative source supply AlN growth by rf-MBE	Applied Physics Express, 13, 2, 025503-025503	Applied Physics Express, 13, 2, 025503-025503	Applied Physics Express, 13, 2, 025503-025503	2020/02/01	有	英語	研究論文(学術雑誌)	公開
M. Nakajima, M. Kaneko, T. Kimoto	M. Nakajima, M. Kaneko, T. Kimoto	M. Nakajima, M. Kaneko, T. Kimoto	Normally-off 400 °c Operation of n- and p-JFETs with a Side-Gate Structure Fabricated by Ion Implantation into a High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate	Normally-off 400 °c Operation of n- and p-JFETs with a Side-Gate Structure Fabricated by Ion Implantation into a High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate	Normally-off 400 °c Operation of n- and p-JFETs with a Side-Gate Structure Fabricated by Ion Implantation into a High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate	IEEE Electron Device Letters, 40, 866-869	IEEE Electron Device Letters, 40, 866-869	IEEE Electron Device Letters, 40, 866-869	2019/06	有			公開
Mitsuaki Kaneko, Ulrike Grossner, Tsunenobu Kimoto	Mitsuaki Kaneko, Ulrike Grossner, Tsunenobu Kimoto	Mitsuaki Kaneko, Ulrike Grossner, Tsunenobu Kimoto	SIC vertical-channel n-and P-JFETS fully fabricated by ion implantation	SIC vertical-channel n-and P-JFETS fully fabricated by ion implantation	SIC vertical-channel n-and P-JFETS fully fabricated by ion implantation	Materials Science Forum, 963 MSF, 841-844	Materials Science Forum, 963 MSF, 841-844	Materials Science Forum, 963 MSF, 841-844	2019/01	有			公開
Kanegae Kazutaka, Kaneko Mitsuaki, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun	Kanegae Kazutaka, Kaneko Mitsuaki, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun	Kanegae Kazutaka, Kaneko Mitsuaki, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun	Characterization of carrier concentration and mobility of GaN bulk substrates by Raman scattering and infrared reflectance spectroscopies	Characterization of carrier concentration and mobility of GaN bulk substrates by Raman scattering and infrared reflectance spectroscopies	Characterization of carrier concentration and mobility of GaN bulk substrates by Raman scattering and infrared reflectance spectroscopies	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 57, 7	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 57, 7	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 57, 7	2018/07	有			公開
M. Kaneko, T. Kimoto	M. Kaneko, T. Kimoto	M. Kaneko, T. Kimoto	High-Temperature Operation of n- and p-Channel JFETs Fabricated by Ion Implantation into a High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate	High-Temperature Operation of n- and p-Channel JFETs Fabricated by Ion Implantation into a High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate	High-Temperature Operation of n- and p-Channel JFETs Fabricated by Ion Implantation into a High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate	IEEE Electron Device Letters, 39, 5, 723-726	IEEE Electron Device Letters, 39, 5, 723-726	IEEE Electron Device Letters, 39, 5, 723-726	2018/05/01	有	英語	研究論文(学術雑誌)	公開
M. Kaneko, S. Ueta, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda	M. Kaneko, S. Ueta, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda	M. Kaneko, S. Ueta, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda	Deep-ultraviolet light emission from 4H-AlN/4H-GaN short-period superlattice grown on 4 H - SiC (11 2 0)	Deep-ultraviolet light emission from 4H-AlN/4H-GaN short-period superlattice grown on 4 H - SiC (11 2 0)	Deep-ultraviolet light emission from 4H-AlN/4H-GaN short-period superlattice grown on 4 H - SiC (11 2 0)	Applied Physics Letters, 112, 1	Applied Physics Letters, 112, 1	Applied Physics Letters, 112, 1	2018/01/01	有	英語	研究論文(学術雑誌)	公開
M. Kaneko, T. Kimoto, J. Suda	M. Kaneko, T. Kimoto, J. Suda	M. Kaneko, T. Kimoto, J. Suda	Phonon frequencies of a highly strained AlN layer coherently grown on 6H-SiC (0001)	Phonon frequencies of a highly strained AlN layer coherently grown on 6H-SiC (0001)	Phonon frequencies of a highly strained AlN layer coherently grown on 6H-SiC (0001)	AIP Advances, 7, 1	AIP Advances, 7, 1	AIP Advances, 7, 1	2017/01/01	有	英語	研究論文(学術雑誌)	公開
Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda	Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda	Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda	Strain control in AlN top layer by inserting an ultrathin GaN interlayer on an AlN template coherently grown on SiC(0001) by PAMBE	Strain control in AlN top layer by inserting an ultrathin GaN interlayer on an AlN template coherently grown on SiC(0001) by PAMBE	Strain control in AlN top layer by inserting an ultrathin GaN interlayer on an AlN template coherently grown on SiC(0001) by PAMBE	Physica Status Solidi (B) Basic Research, 253, 5, 814-818	Physica Status Solidi (B) Basic Research, 253, 5, 814-818	Physica Status Solidi (B) Basic Research, 253, 5, 814-818	2016/05/01	有	英語	研究論文(学術雑誌)	公開
Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda	Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda	Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda	Strong impact of the initial III/V ratio on the crystalline quality of an AlN layer grown by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy	Strong impact of the initial III/V ratio on the crystalline quality of an AlN layer grown by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy	Strong impact of the initial III/V ratio on the crystalline quality of an AlN layer grown by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy	Applied Physics Express, 9, 2	Applied Physics Express, 9, 2	Applied Physics Express, 9, 2	2016/02/01	有	英語	研究論文(学術雑誌)	公開
Mitsuaki Kaneko, Ryosuke Kikuchi, Hironori Okumura, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda	Mitsuaki Kaneko, Ryosuke Kikuchi, Hironori Okumura, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda	Mitsuaki Kaneko, Ryosuke Kikuchi, Hironori Okumura, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda	Coherent growth of AlN/GaN short-period superlattice with average GaN mole fraction of up to 20% on 6H-SiC(0001) substrates by plasma-assisted molecular-beam epitaxy	Coherent growth of AlN/GaN short-period superlattice with average GaN mole fraction of up to 20% on 6H-SiC(0001) substrates by plasma-assisted molecular-beam epitaxy	Coherent growth of AlN/GaN short-period superlattice with average GaN mole fraction of up to 20% on 6H-SiC(0001) substrates by plasma-assisted molecular-beam epitaxy	Japanese Journal of Applied Physics, 52, 8	Japanese Journal of Applied Physics, 52, 8	Japanese Journal of Applied Physics, 52, 8	2013/08	有	英語	研究論文(学術雑誌)	公開
Mitsuaki Kaneko, Hironori Okumura, Ryota Ishii, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda	Mitsuaki Kaneko, Hironori Okumura, Ryota Ishii, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda	Mitsuaki Kaneko, Hironori Okumura, Ryota Ishii, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda	Optical properties of highly strained AlN coherently grown on 6H-SiC(0001)	Optical properties of highly strained AlN coherently grown on 6H-SiC(0001)	Optical properties of highly strained AlN coherently grown on 6H-SiC(0001)	Applied Physics Express, 6, 6	Applied Physics Express, 6, 6	Applied Physics Express, 6, 6	2013/06	有	英語	研究論文(学術雑誌)	公開
Ryosuke Kikuchi, Hironori Okumura, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda	Ryosuke Kikuchi, Hironori Okumura, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda	Ryosuke Kikuchi, Hironori Okumura, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda	AIN/GaN short-period superlattice coherently grown on 6H-SiC(0001) substrates by molecular beam epitaxy	AIN/GaN short-period superlattice coherently grown on 6H-SiC(0001) substrates by molecular beam epitaxy	AIN/GaN short-period superlattice coherently grown on 6H-SiC(0001) substrates by molecular beam epitaxy	Applied Physics Express, 5, 5	Applied Physics Express, 5, 5	Applied Physics Express, 5, 5	2012/05	有	英語	研究論文(学術雑誌)	公開
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Misc

著者	著者(日本語)	著者(英語)	タイトル	タイトル(日本語)	タイトル(英語)	書誌情報等	書誌情報等(日本語)	書誌情報等(英語)	出版年月	記述言語	公開
鐘ヶ江一孝, 金子光顕, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳	鐘ヶ江一孝, 金子光顕, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳	鐘ヶ江一孝, 金子光顕, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳	ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価 (電子デバイス)	ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価 (電子デバイス)	Characterization of Free-Standing GaN Bulk Substrates by Raman Scattering Spectroscopy and Infrared Reflectance Spectroscopy	電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 116, 356, 21-26	電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 116, 356, 21-26	電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 116, 356, 21-26	2016/12/12	日本語	公開
鐘ヶ江一孝, 金子光顕, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳	鐘ヶ江一孝, 金子光顕, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳	鐘ヶ江一孝, 金子光顕, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳	ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価 (電子部品・材料)	ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価 (電子部品・材料)	Characterization of Free-Standing GaN Bulk Substrates by Raman Scattering Spectroscopy and Infrared Reflectance Spectroscopy	電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 116, 357, 21-26	電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 116, 357, 21-26	電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 116, 357, 21-26	2016/12/12	日本語	公開
鐘ヶ江一孝, 金子光顕, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳	鐘ヶ江一孝, 金子光顕, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳	鐘ヶ江一孝, 金子光顕, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳	ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価 (レーザ・量子エレクトロニクス)	ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価 (レーザ・量子エレクトロニクス)	Characterization of Free-Standing GaN Bulk Substrates by Raman Scattering Spectroscopy and Infrared Reflectance Spectroscopy	電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 116, 358, 21-26	電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 116, 358, 21-26	電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 116, 358, 21-26	2016/12/12	日本語	公開
金子光顕	金子光顕	金子光顕	学生としてノーベルウィークに参加して:SIYSS参加報告	学生としてノーベルウィークに参加して:SIYSS参加報告	20190927	応用物理, 84, 2, 161-162	応用物理, 84, 2, 161-162	Oyo Buturi, 84, 2, 161-162	2015	日本語	公開
タイトル言語:

講演・口頭発表等

タイトル	タイトル(日本語)	タイトル(英語)	会議名	会議名(日本語)	会議名(英語)	発表年月日	記述言語	会議種別	公開
Progress and Future Prospects of High-Voltage SiC Power Devices[招待あり]	Progress and Future Prospects of High-Voltage SiC Power Devices [招待あり]	Progress and Future Prospects of High-Voltage SiC Power Devices [招待あり]	2020 Int. Symp. on VLSI Technology, Systems and Applications	2020 Int. Symp. on VLSI Technology, Systems and Applications	2020 Int. Symp. on VLSI Technology, Systems and Applications	2020/08/11	英語	口頭発表(招待・特別)	公開
Progress and future challenges of SiC power devices for energy efficiency[招待あり]	Progress and future challenges of SiC power devices for energy efficiency [招待あり]	Progress and future challenges of SiC power devices for energy efficiency [招待あり]	12th Int. Symp. on Advanced Plasma Sci. & Its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2020)	12th Int. Symp. on Advanced Plasma Sci. & Its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2020)	12th Int. Symp. on Advanced Plasma Sci. & Its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2020)	2020/03/09	英語	口頭発表(基調)	公開
Breakdown Phenomena in High- and Low-Voltage SiC Devices[招待あり]	Breakdown Phenomena in High- and Low-Voltage SiC Devices [招待あり]	Breakdown Phenomena in High- and Low-Voltage SiC Devices [招待あり]	Materials Research Meeting 2019	Materials Research Meeting 2019	Materials Research Meeting 2019	2019/12/11	英語	口頭発表(招待・特別)	公開
高温動作集積回路を目指したノーマリオフ型p-JFETおよびn-JFETの同一SiC基板上への作製[招待あり]	高温動作集積回路を目指したノーマリオフ型p-JFETおよびn-JFETの同一SiC基板上への作製 [招待あり]		応用物理学会先進パワー半導体分科会第6回講演会	応用物理学会先進パワー半導体分科会第6回講演会		2019/12/04	日本語	口頭発表(招待・特別)	公開
SiCにおけるショックレー型積層欠陥の拡大/縮小臨海条件のモデリング[招待あり]	SiCにおけるショックレー型積層欠陥の拡大/縮小臨海条件のモデリング [招待あり]		応用物理学会先進パワー半導体分科会第5回個別討論会「ここまで来たSiC順方向劣化現象の理解と対策」	応用物理学会先進パワー半導体分科会第5回個別討論会「ここまで来たSiC順方向劣化現象の理解と対策」		2019/06/17	日本語	口頭発表(招待・特別)	公開
400℃ operation of normally-off n- and p-JFETs with a side-gate structure fabricated by ion implantation into a high-purity semi-insulating SiC substrate[招待あり]	400℃ operation of normally-off n- and p-JFETs with a side-gate structure fabricated by ion implantation into a high-purity semi-insulating SiC substrate [招待あり]	400℃ operation of normally-off n- and p-JFETs with a side-gate structure fabricated by ion implantation into a high-purity semi-insulating SiC substrate [招待あり]	European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018)	European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018)	European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018)	2018/09/10	英語	口頭発表(招待・特別)	公開
Intentional introduction of misfit dislocations at AlN/SiC heterointerface[招待あり]	Intentional introduction of misfit dislocations at AlN/SiC heterointerface [招待あり]	Intentional introduction of misfit dislocations at AlN/SiC heterointerface [招待あり]	6th Center for Integrated Research of Future Electronics Seminar: Seminar on Interface Control	6th Center for Integrated Research of Future Electronics Seminar: Seminar on Interface Control	6th Center for Integrated Research of Future Electronics Seminar: Seminar on Interface Control	2017/08/10	英語	口頭発表(招待・特別)	公開
タイトル言語:

産業財産権 (特許)

発明者	発明者(日本語)	発明者(英語)	発明の名称	発明の名称(日本語)	発明の名称(英語)	審査の段階	番号	年月	公開
木本恒暢, 金子光顕, 中島誠志	木本恒暢, 金子光顕, 中島誠志		SiC接合型電界効果トランジスタ及びSiC相補型接合型電界効果トランジスタ	SiC接合型電界効果トランジスタ及びSiC相補型接合型電界効果トランジスタ		特許公開	特開2019-091873	2019/06/13	公開
タイトル言語:

学術賞等

賞の名称(日本語)	賞の名称(英語)	授与組織名(日本語)	授与組織名(英語)	年月
発表奨励賞	Encouragement Award	第4回窒化物半導体結晶成長講演会		2012/04/28
最優秀論文賞	Best Paper Award	窒化物半導体国際ワークショップ2012		2012/10/19
EMS賞	34th Electronic Materials Symposium Award	第34回電子材料シンポジウム		2015/07/17
第38回応用物理学会講演奨励賞	Young Scientist Presentation Award	応用物理学会		2015/09/13
船井研究奨励賞	Funai Research Promotion Award	船井情報科学振興財団	FFIT	2020/04/40

外部資金：競争的資金 (科学研究費補助金)

種別	代表/分担	テーマ(日本語)	テーマ(英語)	期間
研究活動スタート支援	代表	厳環境動作SiCハイブリッド集積回路の開発		2019/08/30〜2021/03/31
研究活動スタート支援	代表	厳環境動作SiCハイブリッド集積回路の開発（2019年度分）		2019/04/01〜2020/03/31

外部資金：競争的資金 (科学研究費補助金以外)

制度名	代表者名	研究課題(日本語)	期間
増屋記念基礎研究振興財団	金子光顕	イオン注入による厳環境動作SiC集積回路の開発	2019/04/01〜2020/03/31
稲盛財団	金子光顕	超高温環境動作SiC集積回路の開発	2020/04/01〜2023/03/31
村田学術振興財団	金子光顕	超高温環境動作可能な相補型JFET集積回路の開発	2020/07/01〜2021/06/30

その他の研究活動等

名称	場所	備考	期間
ストックホルム国際青年科学セミナー	ストックホルム		2014/12/04〜2014/12/11
第65回リンダウ・ノーベル賞受賞者会議	リンダウ		2015/06/28〜2015/07/04

担当科目

講義名(日本語)	講義名(英語)	開講期	学部/研究科	年度
電気電子工学実習	Advanced Practice of Electrical and Electronic Engineering	後期	工学部	2019/04〜2020/03
電気電子工学基礎実験	Fundamental Practice of Electrical & Electronic Engineering	後期	工学部	2020/04〜2021/03
電気電子工学実習	Advanced Practice of Electrical and Electronic Engineering	後期	工学部	2020/04〜2021/03

部局運営（役職等）

役職名	期間
電気電子工学科　サマーキャンプ運営委員会	2019/04/01〜
桂事業場環境安全衛生委員会　委員	2020/04/01〜2022/03/31
電気電子工学科　学生実験9人委員	2020/04/01〜
工学部無期廃液処理実行委員会（電気系担当）	2020/05/01〜

金子 光顕

金子光顕